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GDS/KDY-2(測鍺)兩探針電阻率測試儀ρ：0.001～1000Ω?cm
]資料
產品名稱:
GDS/KDY-2(測鍺)兩探針電阻率測試儀ρ：0.001～1000Ω?cm
產品型號:
GDS/KDY-2(測鍺)
產品展商:
中慧
產品文檔:
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簡單介紹
GDW3-KDY-2型兩探針電阻率測試儀是按照我國標準及美國材料與試驗協會（ASTM）推薦的材料驗收檢測方法“兩探針法”設計。它適合于測量模截面尺寸是可測量的，而且棒的長度大于橫截面線度的有規則的長棒，例如橫斷面為圓形、正方形、長方形或梯形的單晶或多晶錠。
GDS/KDY-2(測鍺)兩探針電阻率測試儀ρ：0.001～1000Ω?cm
的詳細介紹
兩探針電阻率測試儀ρ：0.001～1000Ω?cm
型號：GDS/KDY-2(測鍺)
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貨號：ZH416
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產品簡介
GDW3-KDY-2型兩探針電阻率測試儀是按照我國標準及美國材料與試驗協會（ASTM）推薦的材料驗收檢測方法“兩探針法”設計。它適合于測量模截面尺寸是可測量的，而且棒的長度大于橫截面線度的有規則的長棒，例如橫斷面為圓形、正方形、長方形或梯形的單晶或多晶錠。由于兩探針法的測量電流是從長棒兩端進出，遠離電壓測量探針，因此電流流過金屬與半導體接觸處產生的許多副效應（如珀爾帖效應、塞貝克效應、少子注入效應等），對測量的影響較小，因此兩探針法的測量精度一般優于四探針法。**是對多晶材料的測量，由于多晶晶粒間界處，雜質局部偏析可能導致電阻率較大變化，這種影響對四探針法*為嚴重，故不推薦用四探針法測量多晶材料的電阻率。
本儀器除適合測量體形有規則的單晶棒外，也適合測量多晶棒。兩探針法測量水平區熔多晶鍺電阻率，在我國已有四十多年的實踐經驗，對區熔鍺錠橫截面面積的變化已總結出一套計算方法，本儀器采用李賀成**提出的計算公式編寫程序，可用微機HQ-710C處理區熔鍺錠的測量數據，或采用KDY測量系統軟件測量數據，并根據北京有色金屬研究總院余懷之**的提議，擴大了微處理機的數據處理范圍。
本儀器主要由電氣測量部份（簡稱：主機）、測試臺及兩探針頭組成。儀器的特點是主機配置雙數字表，在測量電阻率的同時，另一塊數字表（以**之幾的精度）適時監測程的電流變化，免除了測量電流/測量電阻率的轉換，*及時掌控測量電流。主機還提供精度為0.05%的恒流源，使測量電流高度穩定。本機配有恒流源開關，在測量某些材料時，可免除探針尖與被測材料之間接觸火花的發生，*好地保護被測材料。儀器配置了本公司的產品：“小游移探針頭”，間距為10mm的兩探針頭探針游移率在0.02～0.05%。了儀器測量電阻率的重復性和準確度。本機需配用HQ-710C數據處理器或KDY測量系統軟件，置入須的數據后，處理器會配合探頭在鍺錠上移動測量，自動計算、打印出各點的電阻率、電阻率的值、電阻率值，給測量帶來很大方便。
主機參數
（1）測量范圍：
可測電阻率：鍺晶體0.1-100Ω·cm
可測鍺錠尺寸：長度700mm；高度50mm；寬度60mm。
（2）恒流源：
輸出電流：DC 0.004-100mA 五檔連續可調
量程：0.004-0.01mA
0.04-0.10mA
0.4-1.0mA
4.0-10mA
40-100mA
恒流精度：各檔均優于±0.05%
（3）直流數字電壓表：
測量范圍：0-199.99mV
靈敏度：10μA
基本誤差：±（0.004%讀數+0.01%滿度）
輸入阻抗：≥1000MΩ
（4）電阻測量誤差：≤0.3%
（5）兩探針頭：KDT-5
探針間距：10.00±0.02mm
游移率：0.02-0.05%
探針壓力：4±1N/單針
（6）供電電源：
AC 220V ±10% 50/60Hz 功率：12W
（7）使用環境：
溫度：23±2℃ 相對溫度：≤65%
*較強的電場干擾，*強光直接照射。
（8）重量、體積：
主機重量：7.5Kg
體積：390×340×190（單位：mm 長度×寬度×高度）
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